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半導體用石墨

      半導體制造中的許多工藝是在非常高的溫度和極具腐蝕性的環(huán)境中進行的,其制程必須在高溫潔凈無塵環(huán)境下作業(yè),高純超細高強度等靜壓石墨具有耐高溫、導熱性優(yōu)良、抗熱振性好、熱膨脹系數(shù)低、抗折和抗壓強度高、化學性能穩(wěn)定等特性,成為半導體制造中關(guān)鍵的材料。用于半導體晶體生長、外延生長、氣相沉積碳化硅、離子注入、等離子蝕刻等制造工藝中,其主要應(yīng)用如下:

      ①單晶硅拉晶爐的發(fā)熱體及坩堝, 導流筒等

      ② 第三代半導體SiC的晶體生長爐的發(fā)熱體

      ③ MOCVD中的石墨基座

      ④ 硅外延EPI工藝中基座

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